2GビットDDR3を4枚積層した8GビットTSV DRAM


iPad 2が登場して以来、さまざまなAndroidタブレットがその対抗馬として開発されるなど、タブレット端末は今まで以上に盛り上がりを見せている。このタブレット端末は、どれを見てもとても薄いことが特徴だ。それは、CPUやメモリなど、さまざまなパーツの薄型化が進んでいるからなのだ。

エルピーダメモリは、このようなタブレット端末をはじめとし、薄型マシンに最適な薄型メモリを実現するTSV(Through Silicon Via:Si貫通電極)積層技術を使ったDDR3 SDRAM(×32ビットI/O)を世界で初めてサンプル出荷した。果たして、このTSV積層技術とはどんな技術なんだろうか。

サンプル出荷を開始したのは、8GビットTSV DRAMで、2GビットDDR3 SDRAM 4枚とインタフェースチップ1枚をTSVで積層し1パッケージ化、低消費電力の8GビットDDR3 SDRAMとなっている。
この新たなメモリは、ノートPCで従来からあるSO-DIMM(Small-outline DIMM)を使ったシステムに比べ、動作時の消費電力は約20%、スタンバイ時の消費電力は約50%削減できるとのこと。さらに、マザーボード上の実装面積はおよそ70%削減でき、高さの削減やDIMMソケットの廃止も可能となる。

これを実現しているTSV技術とは、チップに小さな孔を開け、そこに金属を充填することによって、サンドイッチ状に積み重ねた複数のチップを電気的に接続する三次元スタックパッケージ技術のこと。
ワイヤボンディングで複数のチップを接続する従来の手法に比べて、配線距離を大幅に短縮できることが特徴で、高速化、省電力化、小型化などを可能にする。

これにより、急速に市場を拡大している超薄型ノートPCやタブレットPCなどの省電力化、小型化、薄型化、軽量化がさらに進む。まさに、環境に配慮したエコフレンドリーDRAMとなっているのだ。

エルピーダメモリ

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