NAND型フラッシュメモリは、スマートフォンやタブレット、SSDといったアプリケーションの広がりにより、チップ単体のビジネスではなく、NAND型フラッシュメモリとRAMなどを組み合わせたメモリシステムとしてのビジネスが拡大してきている。

そのような中、東芝は2011年07月13日、韓国ハイニックス社と、MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory：磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリ）技術を共同開発することに合意したと発表した。

東芝は半導体事業の柱として、NAND型フラッシュメモリ事業に注力している。同社は今回の合意に基づき、韓国・利川（イチョン）にあるハイニックス社の研究施設に両社の技術者を集結し、共同開発を行う計画だ。

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